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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/06/01 GaN基激光器  电子泄漏  局域态  微分特性  GaAs基激光器   三色光源 专利 专利号: CN106415953A, 申请日期: 2017-02-15, 公开日期: 2017-02-15 作者:  中西裕美 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures 期刊论文 NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082 作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Liu, Y.;  Cheng, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21 GaAs  Quantum Wells  Nanowires  ZnO  Si  InGaN  Strain  Ge  GaN  InN  InGaAs  Quantum Dots   Saturability Algorithm of a Sub-Bandgap Laser for Triggering a Photoconductive Switch 期刊论文 2017, 卷号: 5, 页码: 395-399 作者:  Wang, Xinmei;  Mazumder, Sudip K.;  Shi, Wei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 Photoconductive switch  saturation  sub-bandgap  GaN  GaAs