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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Middle support layer formation and structure in relation to performance of three-tier thin film composite forward osmosis membrane 期刊论文 DESALINATION, 2017, 卷号: 421, 页码: 190-201 作者:  Tian, Enling;  Wang, Xingzu;  Zhao, Yuntao;  Ren, Yiwei;  Tian, Enling 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/03/05 Forward osmosis  Thin film composite membrane  Middle support layer structure  Double support layers  Membrane performance   A common-gate bootstrapped CMOS rectifier for VHF isolated DC-DC converter 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 055002-1-055002-5 作者:  Dongfang Pan;  Feng Zhang;  Lu Huang;  Jinliang Li 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/09/15 Cmos Rectifier Circuit  Bootstrapped Technique  Very High Frequency  Pce  Isolated Dc –Dc   A common-gate boots trapped CMOS rectifier for VHF isolated DC-DC converter 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 055002-1-055002-5 作者:  Dongfang Pan;  Feng Zhang;  Lu Huang;  Jinliang Li 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/10/27 Cmos Rectifier Circuit  Bootstrapped Technique  Very High Frequency  Pce  Isolated Dc –Dc   Evaluation of Ballistic Transport in III-V-Based p-Channel MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Di, Shaoyan; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 III-V semiconductors  ballistic transport  eight-band k . p  GaSb  InSb  orientation  pMOSFETs  strain effect  SURFACE ORIENTATION  HOLE MOBILITY  MODEL   Performance Evaluation and Optimization of Single Layer MoS2 Double Gate Transistors With Schottky Barrier Contacts 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 2999-3006 作者:  Zeng, Lang;  Zhang, Deming;  Gao, Tianqi;  Gong, Fanghui;  Qin, Xiaowan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30 Double gate structure  monolayer MoS2  quantum ballistic transport  quantum dissipative transport  schottky barrier contact