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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   单排差动结构的新型纳米时栅位移传感器 Novel nanometer time-grating displacement sensor with single row differential structure 期刊论文 2017, 卷号: 38, 页码: 734-740 作者:  彭凯[1];  于治成[2];  刘小康[3];  郑方燕[3];  蒲红吉[4] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/28 单排差动结构的新型纳米时栅位移传感器 期刊论文 仪器仪表学报, 2017, 页码: 734-740 作者:  彭凯;  于治成;  刘小康;  郑方燕;  蒲红吉 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 电容式位移传感器  单排结构  纳米时栅  差动感应极片