QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板 专利 申请日期: 2017-11-21, 作者:  任宇;  杨旭;  张帆;  乔梁 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11 作者:  汤益丹;  白云;  申华军;  霍瑞彬;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/07 60v屏蔽栅沟槽型功率MOSFET的优化设计 学位论文 : 中国科学院大学, 2017 作者:  罗小梦 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/08/22 MOS器件及其电路的HPM效应数值仿真研究 学位论文 2017 作者:  黄志娟 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/26 电磁脉冲  高功率微波  MOSFET  CMOS  热损伤   声呐发射机中D类功率放大器的设计 期刊论文 电声技术, 2017, 期号: 2 作者:  车贺宾;  江鹏 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 声呐发射机  半桥电路  MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)   SiC功率MOSFET驱动与应用电路的研究 学位论文 : 西安理工大学, 2017 作者:  沈吉文 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 驱动电路 栅极电阻 半导体材料 结构特点   一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018 作者:  唐昭焕;  杨发顺;  马奎;  林洁馨;  傅兴华 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 外延层  体区  功率MOSFET器件  功率VDMOS器件  衬底材料  阈值电压  平面型  覆盖  源区  制造