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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 571-577 作者:  Li, Jj.;  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Song, Y.;  Yan, T. X. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/05/08 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文 作者:  Song, Y.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Xu, C. L.;  Li, Jj. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文 作者:  Yang, Y. T.;  Li, J. Y.;  Liu, H. P.;  Ding, Z. N.;  Yan, T. X. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL