QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Recent progress on integrating two-dimensional materials with ferroelectrics for memory devices and photodetectors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 3 作者:  Wang JL;  Hu WD 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/11/20 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  THIN-FILM-TRANSISTOR  MOS2  GRAPHENE  HETEROSTRUCTURES  POLYMER  PHOTOTRANSISTORS  OPTOELECTRONICS  ELECTRONICS  MONOLAYER