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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 54-59 作者:  翁彬;  周松敏;  王溪;  陈奕宇;  李浩 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/11/20 HgCdTe  激光束诱导电流  I-V测试  B+离子注入  干法刻蚀   替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 2, 页码: 186-190 作者:  赵真典;  陈路;  傅祥良;  王伟强;  沈川 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/11/20 碲镉汞  红外焦平面  长波  替代衬底  暗电流   基于分时共享方案的640×512红外读出电路设计 期刊论文 红外与激光工程, 2017, 期号: 10, 页码: 246-253 作者:  梁清华;  蒋大钊;  陈洪雷;  丁瑞军 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/11/20 红外焦平面  读出电路  电容共享  电荷容量  偏置电路