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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文 半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501 作者:  黄波;  许金通;  王玲;  张燕;  李向阳 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  紫外探测器  制备  数值模拟