QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究 学位论文 2016, 2016 曾凡明 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/20 III族氮化物半导体  弱极性晶面  量子阱结构  SAE外延技术  组分渐变  III-nitrides  semipolar  quantum wells  SAE  indium-graded technique   Electronic structure and optical property studies of wurtzite AgInS2 doped by tin 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 678, 页码: 439-443 作者:  Yin, Jianbo;  Lu, Xuefeng;  Dong, Qizheng 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/15 Metal  Doping  Sulfides   提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究 学位论文 2016, 2014 李晓莹 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/06/20 氮化镓  垂直结构发光二极管  In组分渐变多量子阱  低压激光剥离  侧壁粗化。  GaN  vertical-structured light-emitting diodes  graded-indium content multiple quantum wells  low-pressure laser lift-off  sidewall texturing   Corrosion and Discharge Behaviors of Mg-Al-Zn and Mg-Al-Zn-In Alloys as Anode Materials 期刊论文 METALS, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Li, Jiarun;  Wan, Kai;  Jiang, Quantong;  Sun, Huyuan;  Li, Yantao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/08/25 magnesium  corrosion  AZ63  indium  discharge behavior   Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of in content in InGaN barriers on crystalline quality and carrier transport of GaN-based light-emitting diodes (EI收录) 期刊论文 Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49 作者:  Lin, Zhiting[1,2];  Wang, Haiyan[1,2];  Lin, Yunhao[1,2];  Yang, Meijuan[1,2];  Wang, Wenliang[1,2] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24 Carrier concentration  Crystalline materials  Diodes  Efficiency  Gallium alloys  Gallium nitride  Quantum efficiency  Semiconducting indium compounds  Semiconductor quantum wells   Effect of post treatment for cu-cr source/drain electrodes on a-igzo tfts (EI收录) 期刊论文 Materials, 2016, 卷号: 9, 页码: 1-5 作者:  Hu, Shiben[1];  Fang, Zhiqiang[1];  Ning, Honglong[1];  Tao, Ruiqiang[1];  Liu, Xianzhe[1] 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/24 Amorphous films  Amorphous semiconductors  Carrier concentration  Copper  Copper alloys  Electrodes  Gallium alloys  Indium  Indium alloys  Interfaces (materials)  Semiconducting indium compounds  Semiconductor materials