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一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者:  杨谦;  韩林超;  申华军;  白云;  汤益丹
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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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核废料储罐深地质处置环境下的腐蚀行为研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  郑珉
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活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(上) 期刊论文
2016, 2016
范崇治; Delahoy A E; Guo S Y; Paduraru C; Delahoy A E; Guo S Y; Paduraru C
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多弧离子镀制备Ti/TiN多层薄膜的摩擦学和耐腐蚀性能 学位论文
2016
作者:  史鑫
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