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一种GaN复合衬底制备方法 专利
专利号: CN105719946A, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2016-06-29
作者:  甘志银;  刘胜;  严晗;  汪沛;  吕强
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一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  王庶民
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