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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing Treatment on Amorphous InAlZnO Films for Thin-Film Transistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 页码: 3547-3551 作者:  Ye, Zhizhen[1];  Yue, Shilu[2];  Zhang, Jie[3];  Li, Xifeng[4];  Chen, Lingxiang[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/26 Amorphous oxide semiconductor (AOS)  annealing treatment  InAlZnO  temperature  thin-film transistors (TFTs)   Thickness effect on the stability of unipolar resistance switching in tin ferrite thin films 期刊论文 CURRENT APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 16, 页码: 980-984 作者:  Gong, Guodong[1];  Wu, Changjin[2];  Hu, Pengfei[3];  Li, Ying[4];  Kwon, Namic[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/26 RRAM  Amorphous  SnFe2O4  Forming voltage  Stability   Characterization and simulation on antireflective coating of amorphous silicon oxide thin films with gradient refractive index 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96, 页码: 198-204 作者:  Huang, Lu[1];  Jin, Qi[2];  Qu, Xingling[3];  Jin, Jing[4];  Jiang, Chaochao[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/26 Antireflective coating  Amorphous silicon oxide  Gradient refractive index  Finite difference time domain   Study on Growth Conditions for High Quality Hydrogenated Amorphous Silicon Oxide Films 会议论文 2nd Annual International Conference on Advanced Material Engineering (AME), 2016-01-01 作者:  Jiang, Chao-Chao[1];  Jin, Jing[2];  Qu, Xing-Ling[3];  Huang, Lu[4];  Liu, Can[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/26 A-SiOx:H  Window layer  Fourier transform infrared spectroscopy  Optical band gap   Amorphous LaZnSnO Thin Films by a Combustion Solution Process and Application in Thin Film Transistors 期刊论文 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 12, 页码: 76-81 作者:  Li, Jun[1];  Huang, Chuan-Xin[2];  Fu, Yi-Zhou[3];  Zhang, Jian-Hua[4];  Jiang, Xue-Yin[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/26 solution process  oxide semiconductor  thin film transistor