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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics 会议论文 作者:  Li Q(李庆);  Gao B(高博);  Deng HT(邓海涛);  Wang LX(王立新);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/05/19 Electromagnetic susceptibility characterization of double SOI device 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Gao JT(高见头) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 半导体器件制造方法 专利 专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26 作者:  刘金彪;  李俊峰;  王桂磊 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/06/12 Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation 期刊论文 Chinese Physics B, 2016 作者:  Xu H(徐昊);  Yang H(杨红);  Wang YR(王艳蓉);  Luo WC(罗维春);  Qi LW(祁路伟) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/05/09 Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations 期刊论文 Chinese Physics B, 2016 作者:  Xu H(徐昊);  Yang H(杨红);  Luo WC(罗维春);  Wang YR(王艳蓉);  Tang B(唐波) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/09