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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11 AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1 作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2017/03/11 Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2016, 卷号: 69 作者:  Wang, W;  Fu, K(付凯);  Hu, C;  Li, FN;  Liu, ZC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11