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苏州纳米技术与纳米仿... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2016 [3]
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发表日期:2016
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11
作者:
Hu, WW
;
Zhang, SM(张书明)
;
Ikeda, M
;
Chen, YG
;
Liu, JP(刘建平)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/03/11
High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 37
作者:
Wang, JL
;
Yao, Q
;
Huang, CW
;
Zou, XM
;
Liao, L
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
Functionalization and densification of inter-bundle interfaces for improvement in electrical and thermal transport of carbon nanotube fibers
期刊论文
CARBON, 2016, 卷号: 105
作者:
Qiu, L
;
Wang, XT
;
Tang, DW
;
Zheng, XH
;
Norris, PM
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/11
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