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苏州纳米技术与纳米仿... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2016 [2]
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发表日期:2016
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2
作者:
Wu, YY
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Lu, SL(陆书龙)
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提交时间:2017/03/11
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:
Sun, SC
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, ZL
;
Song, L
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提交时间:2017/03/11
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