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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress analysis of transferable crack-free gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 185 作者:  Qi, Lin;  Xu, Yu;  Li, Zongyao;  Zhao, En;  Yang, Song 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of low-temperature cathodoluminescence mechanism of Er-doped GaN thick films by ion implantation 期刊论文 CHINESE OPTICS LETTERS, 2016, 卷号: 14, 期号: 5 作者:  Wang, XD;  Mo, YJ;  Zeng, XH(曾雄辉);  Mao, HM;  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/11 The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6 作者:  Jahn, U;  Musolino, M;  Lahnemann, J;  Dogan, P;  Garrido, SF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20 作者:  Hu, YY(胡匀匀);  Zhou, TF(周桃飞);  Zheng, SN(郑树楠);  Liu, XH(刘雪华);  Zhao, JJ 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11 The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Nucleation and growth of (10(1)over-bar1) semi-polar AlN on (0001) AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6 作者:  Liu, T(刘婷);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11