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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nanowire transistor solutions for 5nm and beyond 其他 2016-01-01 Asenov, A.; Wang, Y.; Cheng, B.; Wang, X.; Asenov, P.; Al-Ameri, T.; Georgiev, V.P. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Nanowire Transistor Solutions for 5nm and Beyond 其他 2016-01-01 Asenov, A.; Wang, Y.; Cheng, B.; Wang, X.; Asenov, P.; Al-Ameri, T.; Georgiev, V. P. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Compact model  Monte Carlo  nanowire transistor  Poisson-Schrodinger  SRAM  statistical variability  INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS  SIMULATION  MOSFETS  VARIABILITY   Variability-aware TCAD Based Design-Technology Co-Optimization Platform for 7nm Node Nanowire and Beyond 其他 2016-01-01 Wang, Y.; Cheng, B.; Wang, X.; Towie, E.; Riddet, C.; Brown, A. R.; Amoroso, S. M.; Wang, L.; Reid, D.; Liu, X.; Kang, J.; Asenov, A. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Multi-V-T Design of Vertical Channel Nanowire FET for Sub-10nm Technology Node 其他 2016-01-01 Chen, Gong; Li, Ming; Fan, Jiewen; Yang, Yuancheng; Zhang, Hao; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 vertical nanowire  asymmetric doping  multi-V-T  halo   Source/Drain Architecture Design of Vertical Channel Nanowire FET for 10nm and beyond 其他 2016-01-01 Gong Chen; Ming Li; Jiayang Zhang; Yuancheng Yang; Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 drain  immunity  spacer  dielectric  capacitance  doping  graded  TCAD  acceptable  parasitic  drain  immunity  spacer  dielectric  capacitance  doping  graded  TCAD  acceptable  parasitic   Analysis of Self-heating Effect in a SOI LDMOS Device under an ESD Stress 其他 2016-01-01 Tianxing Li; Jian Cao; Lizhong Zhang; Yuan Wang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 heating  buried  robustness  inserted  TCAD  Drift  handling  productive  summarized  Figure  heating  buried  robustness  inserted  TCAD  Drift  handling  productive  summarized  Figure   GIDL Challenge of GAA SNWT For Low Power Application 其他 2016-01-01 Ming Li; Jiewen Fan; Yuancheng Yang; Gong Chen; Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 drain  transistor  junction  overcome  suppressed  extremely  modulated  leakage  overlap  TCAD  drain  transistor  junction  overcome  suppressed  extremely  modulated  leakage  overlap  TCAD