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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and optimization of a high speed deep-trench super-junction MOSFET with improved EMI performance 其他 2016-01-01 Fei Wang; Min-Zhi Lin; Yuan-Lin Yuan; Lei Liu; Yuhua Cheng; Peng-Fei Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 trench  junction  capacitance  drain  abrupt  smoothed  switching  inferior  depletion  breakdown  trench  junction  capacitance  drain  abrupt  smoothed  switching  inferior  depletion  breakdown   ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures 其他 2016-01-01 Chen, Shen-Li; Wu, Yi-Cih; Lin, Jia-Ming; Yang, Chih-Hung; Yen, Chih-Ying; Chen, Kuei-Jyun; Chen, Hung-Wei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Electrostatic discharge (ESD)  N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)  Secondary breakdown current (I-t2)  Shallow-trench isolation (STI)  Silicon-controller rectifier (SCR)   Resistive-Gate Field-Effect Transistor Exhibiting Steep Subthreshold Slope of 5mV /dec and High I_(ON)/I_(OFF) Ratio 其他 2016-01-01 Qianqian Huang; Zongwei Wang; Yue Pan; Yangyuan Wang; Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 resistive  electrically  drain  steep  OFF  ON  Ratio  dec and High I  transistor  operated  resistive  electrically  drain  steep  OFF  ON  Ratio  dec and High I  transistor  operated