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科研机构
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
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发表日期:2015
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Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2015
Shi, Tuanwei
;
Wang, Xiaoye
;
Wang, Baojun
;
Wang, Wei
;
Yang, Xiaoguang
;
Yang, Wenyuan
;
Chen, Qing
;
Xu, Hongqi
;
Xu, Shengyong
;
Yang, Tao
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提交时间:2017/12/03
nanowire
nanohole
vertical
SiO2 barrier
catalysts-free
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
PERFORMANCE
MOSFETS
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