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一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者:  王智勇;  高鹏坤;  王青;  郑建华
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AlGaInP-LED微阵列器件的设计与实验研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  田超
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宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  王丹丹
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