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Raman spectroscopy of epitaxial topological insulator bi2te3 thin films on gan substrates 期刊论文
Modern physics letters b, 2015, 卷号: 29, 期号: 15, 页码: 10
作者:  Xu, Hao;  Song, Yuxin;  Gong, Qian;  Pan, Wenwu;  Wu, Xiaoyan
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Semiconductor device 专利
专利号: US9041197, 申请日期: 2015-05-26, 公开日期: 2015-05-26
作者:  MOTODA, TAKASHI
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宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  王丹丹
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GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7
作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31
Beyond spatial correlation effect in micro-Raman light scattering: An example of zinc-blende GaN/GaAs hetero-interface 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:  Ning, J. Q.;  Zheng, C. C.;  Zheng, L. X.;  Xu, S. J.
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A Photoconductive Semiconductor Switch Vertically Embedded with MISFETs for High-Power High-Repetition-Rate Application 会议论文
2015 IEEE 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER ELECTRONICS FOR DISTRIBUTED GENERATION SYSTEMS (PEDG), 2015-01-01
作者:  Wang, Xinmei;  Mazumder, Sudip K.
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