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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256 作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/26 可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力   A simulation analysis of performance of both implanted doping and in situ doping ETSOI PMOSFETs 期刊论文 2015, 卷号: 0, 期号: 4, 页码: 180-184 作者:  Feng S(冯帅);  Zhao LC(赵利川);  Zhang QZ(张青竹);  Yang PP(杨鹏鹏);  Tang ZY(唐兆云) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/05 MOS场效应晶体管  原位掺杂  电气性能  金属氧化物半导体场效应晶体管  植入  模拟分析  绝缘体上硅  CAD仿真   空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计 期刊论文 北京航空航天大学学报, 2015, 卷号: 41, 页码: 1102-1107 作者:  张鹏飞;  齐铂金;  郑敏信;  张伟 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 霍姆赫兹线圈  恒流源  功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)  比例积分微分(PID)控制  磁感应强度