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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2015 作者:  王丹丹 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2015/11/30 宽禁带半导体  氧化锌  石墨  碳化硅  硒化锌  晶格动力学   具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利 专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07 作者:  赵超;  罗军;  陈大鹏;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/09/18 相变存储材料的飞秒激光诱导击穿光谱研究 学位论文 硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2015 作者:  蔡志龙 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2016/11/28 飞秒激光诱导击穿光谱  相变存储材料  溅射薄膜  时间分辨光谱