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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/01/26 Reliability  Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Total Ionizing Dose Effect  Electrical Stress   Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199 作者:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/01/26 Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect