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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Zhang, XY(张晓渝);  Tan, RB(谭仁兵);  Sun, JD(孙建东);  Li, XX(李欣幸);  Zhou, Y(周宇) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/31 radio-frequency circuit  high electron mobility transistor   The effect of symmetry on resonant and nonresonant photoresponses in a field-effect terahertz detector 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Sun, JD(孙建东);  Qin, H(秦华);  Lewis, RA;  Yang, XX(杨昕昕);  Sun, YF(孙云飞) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 16.8 A/600 V AlGaN/GaN MIS-HEMTs employing LPCVD-Si3N4 as gate insulator 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2015, 卷号: 51, 期号: 15, 页码: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(于国浩);  Tan, SX;  Wu, DD(吴冬东) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   Label free electrical detection of prostate specific antigen with millimeter grade biomolecule-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2015, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li, JD(李加东);  Cheng, JJ(程珺洁);  Miao, B(苗斌);  Wei, XW(魏晓玮);  Xie, J(谢杰) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  gate dielectric  low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)  silicon nitride   Mapping an on-chip terahertz antenna by a scanning near-field probe and a fixed field-effect transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Lu, L;  Sun, JD（孙建东）;  Lewis, RA;  Sun, YF（孙云飞）;  Wu, DM(吴东岷) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/12/31 terahertz detector  terahertz antenna  near-field probe  high electron mobility transistor