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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
微电子研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [2]
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发表日期:2015
内容类型:期刊论文
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Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high- k /metal gate last process
期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:
Wang WW(王文武)
;
Wang YR(王艳蓉)
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提交时间:2016/05/31
Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Hua, MY
;
Liu, C
;
Yang, S
;
Liu, SH
;
Fu, K
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2015/12/31
Gallium nitride
gate dielectric
low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
silicon nitride
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