QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 6 作者:  Zhang YM(张育民);  Fan YM(樊英民);  Xu GZ(徐耿钊);  Xu K(徐科);  Zhong HJ(钟海舰) 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2014/11/27 ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT  PROPAGATION PROPERTIES  ON-SAPPHIRE  VELOCITY  NITRIDE  DEVICES   In situ self-release of thick GaN wafer from sapphire substrate via graded strain field engineering 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.4861170, 2014 Lin, Na; Wu, Jiejun; Xu, Hongmei; Liu, Nanliu; Zheng, Tongchang; Lin, Wei; Liu, Chuan; Cai, Duanjun; 蔡端俊 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  HIGH-QUALITY  FILMS  GROWTH  SEPARATION  LAYERS  SEMICONDUCTORS  RELAXATION  CRACKING   Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 rsc advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 97, 页码: 54902-54906 Kong, SS; Wei, HY; Yang, SY; Li, HJ; Feng, YX; Chen, Z; Liu, XL; Wang, LS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/03/20 Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres 期刊论文 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 387, 页码: 101-105 Yang, JK; Wei, TB; Huo, ZQ; Hu, Q; Zhang, YH; Duan, RF; Wang, JX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20