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Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditions 期刊论文
CrystEngComm, 2014, 卷号: 16, 期号: 38, 页码: 8941-8945
作者:  Zhang, C.;  Liu, M.;  Man, B. Y.;  Jiang, S. Z.;  Yang, C.
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Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditionsSCI被引量:SCI原文链接 期刊论文
2014, 卷号: 16, 期号: 38, 页码: 8941-8945
作者:  Zhang, C.[1];  Liu, M.[1];  Man, B. Y.[1];  Jiang, S. Z.[1,3];  Yang, C.[1]
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