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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
收藏  |  浏览/下载:244/0  |  提交时间:2015/05/03
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
收藏  |  浏览/下载:115/0  |  提交时间:2015/05/03
梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1040-1045
郑剑; 张振中; 王立昆; 韩舜; 张吉英; 刘益春; 王双鹏; 姜明明; 李炳辉; 赵东旭; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2015/04/17
AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
收藏  |  浏览/下载:128/0  |  提交时间:2014/08/21
MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
李超群
收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2014/08/21
高性能氧化锌基发光器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
刘兴宇
收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2014/08/21
MgZnO异质结紫外光电探测器件的制备与内增益特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
作者:  谢修华
收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2014/08/21
MgZnO合金薄膜带隙调制及其紫外探测器件 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
郑剑
收藏  |  浏览/下载:69/0  |  提交时间:2014/08/21
一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 专利
专利号: CN103855263A, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者:  贺龙飞;  陈志涛;  刘宁炀;  赵维;  张志清
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AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
冯向旭
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AlInGaN  LED  MOCVD  


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