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基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN104143761A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者:  朱金通;  吕少平;  罗宁一
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第一性原理研究Sr_3GaSb_3、A_3AlSb_3(A=Ca,Sr)和Sr_5Al_2Sb_6的结构、电子结构和热电性质 学位论文
: 河南大学, 2014
作者:  石清锋[1]
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