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一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利
专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16
作者:  罗家俊;  海潮和;  韩郑生;  毕津顺
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410464881.2, 申请日期: 2014-09-12,
作者:  殷华湘;  秦长亮;  王桂磊;  朱慧珑
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