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北京大学 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
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2014 [5]
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发表日期:2014
专题:北京大学
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Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio
期刊论文
ieee electron device letters, 2014
Xu, Zhe
;
Wang, Jinyan
;
Cai, Yong
;
Liu, Jingqian
;
Jin, Chunyan
;
Yang, Zhenchuan
;
Wang, Maojun
;
Yu, Min
;
Xie, Bing
;
Wu, Wengang
;
Ma, Xiaohua
;
Zhang, Jincheng
;
Hao, Yue
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Post-gate annealing (PGA)
GaN
enhancement mode
MOSFET
ON/OFF current ratio
mesa isolation current
GAN MIS-HEMTS
AL2O3/GAN MOSFET
INTERFACE
High temperature behavior of multi-region direct current current-voltage spectroscopy and relationship with shallow-trench-isolation-based high-voltage laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors reliability
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2014
He, Yandong
;
Zhang, Ganggang
;
Zhang, Xing
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
INTERFACE TRAPS
SMART POWER
LDMOS
PHYSICS
DCIV
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei
;
Huang, Ru
;
An, Xia
;
Wu, Weikang
;
Feng, Hui
;
Huang, Liangxi
;
Fan, Jiewen
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
quasi-SOI device
single event effect (SEE)
total ionizing dose (TID)
worst case
TECHNOLOGIES
TRANSISTOR
CANDIDATE
MOSFET
UPSET
A CMOS compatible process for monolithic integration of high-aspect-ratio bulk silicon microstructures
期刊论文
Science China(Information Sciences), 2014
QIAN Liang
;
YANG ZhenChuan
;
YAN GuiZhen
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
monolithic integration
trench isolation
CMOS compatibility
high-aspect-ratio
bulk micromachining
High temperature behavior of multi-region direct current current-voltage spectroscopy and relationship with shallow-trench-isolation-based high-voltage laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors reliability
其他
2014-01-01
He, Yandong
;
Zhang, Ganggang
;
Zhang, Xing
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提交时间:2017/12/03
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