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一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201410777229.6, 申请日期: 2014-12-25,
作者:  潘道成;  陶影;  李伸杰
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一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法 专利
专利号: CN103811991A, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2014-05-21
作者:  廉鹏
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