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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| 一种单端型半导体光放大器 专利
专利号: CN204067851U, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 刘郁
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| 无铝半导体激光器结构 专利
专利号: CN104242058A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 许并社; 董海亮; 梁建; 马淑芳; 余春艳
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| 一种高功率半导体激光光纤耦合系统 专利
专利号: CN204028409U, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2014-12-17
作者: 唐淳; 郭林辉; 余俊宏; 王昭; 谭昊
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| 一种单芯片光路模块和一种多管芯半导体激光器 专利
专利号: CN204030266U, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2014-12-17
作者: 杨朝栋; 姜笑尘; 刘瑞; 高燕燕; 何晓光
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| 抗高反的高功率光纤耦合半导体激光器系统 专利
专利号: CN204030265U, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2014-12-17
作者: 胡小波; 李刚
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| 半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构 专利
专利号: CN204030267U, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2014-12-17
作者: 李玮; 张文娟; 张磊; 李晓兵; 李军
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| 适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 专利
申请日期: 2014-12-16,
作者: 陆江; 刘刚; 周宏宇; 赵发展
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| 用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 专利
申请日期: 2014-12-16,
作者: 周宏宇; 陆江; 刘刚; 赵发展
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