QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2014    内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利 专利号: CN103545191A, 申请日期: 2014-01-29, 作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/06/12 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利 专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29, 作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/13