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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014    内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法 专利 专利号: CN201210238641.1, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2012-10-17 作者:  郑英奎;  刘新宇;  阎理贺;  赵妙 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/05/14