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Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究 期刊论文
半导体技术, 2013
作者:  徐小明;  江忠永;  丛宏林;  赵超
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一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者:  刘学超;  杨建华;  施尔畏
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ZnO薄膜在Si(100)衬底上的制备及性能研究 学位论文
2013, 2013
金昌连
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