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| InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102201516A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2014-01-20
作者: 程国胜
  收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| 带隙为2.4~2.7eV 的InGaN 基光伏材料的MBE 生长研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
吴渊渊
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2014/01/06 |
| 自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射 期刊论文
2013
杨晓东
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 高效率大功率LED的材料外延和器件研制 学位论文
2013, 2012
张洁
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 高Al组分AlGaN量子结构材料设计、外延及其在紫外发光二极管的应用 学位论文
2013, 2013
杨伟煌
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/01/13
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| 表面/界面改性改善GaN初始成岛和InGaN有源层外延 学位论文
2013, 2013
熊欢
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/01/13
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| InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文
2013, 2013
蔡晓梅
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/01/13
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| InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文
2013, 2013
雷廷平
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2014/04/08
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| InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计 期刊论文
《半导体光电》, 2013, 页码: 20-24
作者:
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| InGaN 太阳能电池基础研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
邓庆文
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2013/06/20 |
