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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法 专利 专利号: CN102263370B, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10 作者:  杜国同;  夏晓川;  赵旺;  梁红伟;  张宝林 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 18 作者:  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群);  Liu, JP(刘建平);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/01/15 Vacuum Rabi Splitting of Exciton-Polariton Emission in an AlN Film 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1038/srep03551, 2013 Li, Kongyi; Wang, Weiying; Chen, Zhanghai; Gao, Na; Yang, Weihuang; Li, Wei; Chen, Hangyang; Li, Shuping; Li, Heng; Jin, Peng; Kang, Junyong; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/07/22 BOSE-EINSTEIN CONDENSATION  LIGHT-EMITTING DIODE  SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES  ROOM-TEMPERATURE  CRYSTALS  GAAS  GAN