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科研机构
北京大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2013 [2]
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a-IGZO TFTs With Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposited SiOx Gate Dielectric
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Xiao, Xiang
;
Deng, Wei
;
He, Xin
;
Zhang, Shengdong
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提交时间:2015/11/11
Amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO)
gate dielectric
inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD)
low temperature
thin-film transistors (TFTs)
AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTORS
MOBILITY
Effect of O-2 Flow Rate During Channel Layer Deposition on Negative Gate Bias Stress-Induced V-th Shift of a-IGZO TFTs
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Xiao, Xiang
;
Deng, Wei
;
Chi, Shipeng
;
Shao, Yang
;
He, Xin
;
Wang, Longyan
;
Zhang, Shengdong
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO)
donor-like states
instability
O-2 flow rate
thin film transistors (TFTs)
FILM TRANSISTORS
MOBILITY
VOLTAGE
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