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厦门大学 [3]
近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [4]
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发表日期:2013
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金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
期刊论文
2013
严光明
;
李成
;
汤梦饶
;
黄诗浩
;
王尘
;
卢卫芳
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
金属与Ge接触性质
NiGe
比接触电阻率
metal/Ge contact
NiGe
specific contact resistance
合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响
期刊论文
2013
林旺
;
阮育娇
;
陈松岩
;
李成
;
赖虹凯
;
汤丁亮
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/17
Al/n+-Ge接触
离子注入
退火
圆形传输线模型(CTLM)
接触电阻率
Al/n+-Ge contact
ion implantation
annealing
circular transmission line model(CTLM)
contact resistivity
金属掩模套版
专利
专利号: CN202671643U, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
作者:
缑洁
;
张崇宏
;
张丽卿
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2018/12/27
NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究
学位论文
2013, 2013
汤梦饶
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/01/13
Ni(Si1-xGex)
NiGe
热稳定性
费米能级钉扎效应
势垒高度
Ni(Si1-xGex)
NiGe
Thermal stability
Fermi-level pinning effect
Schottky barrier height
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