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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang , Lin Zhao-Jun, Lü Yuan-Jie, Luan Chong-Biao and Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/03/18 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang; Lin Zhao-Jun; Lu Yuan-Jie; Luan Chong-Biao; Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 143706 Le, L. C.; Zhao, D. G.; Jiang, D. S.; Li, L.; Wu, L. L.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Yang, J.; Li, X. J.; He, X. G.; Zhu, J. J.; Wang, H.; Zhang, S. M.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09