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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Comparison of morphology, structure and optical properties of GaN powders prepared by Ga2O3 nitridation and gallium nitridation 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 367, 期号: 0, 页码: 48-52 作者:  Zhang, JP(张锦平);  Zeng, XH(曾雄辉);  Xu, K(徐科);  Xu, Y(徐俞);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/01/09 Characterization  Crystal morphology  Crystal structure  Luminescence  Powders  Semiconducting gallium nitride