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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=wlxb200602070&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2006, 2012, 2012 林秋宝; 李仁全; 曾永志; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/19 稀磁半导体  过渡金属  掺杂  共掺杂  dilute magnetic semiconductors (DMS)  transition metal (TM)  doping  codoping  O472.6   III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  金巨鹏 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/09/11 Gaas/algaas  量子阱红外探测器  Inas/gasb  二类超晶格  焦平面