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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法 专利 专利号: CN102195234B, 申请日期: 2012-12-26, 公开日期: 2012-12-26 作者:  杜国同;  梁红伟;  夏晓川;  赵旺 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 2012年中国半导体分立器件行业发展分析 无文献类型 作者:  江兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 技术改造  发展带  电子信息  半导体分立器件  行业  发展分析  产品结构  产业链  电子元器件  半导体发光二极管