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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Intersubband absorption properties of high al content alxga1?xn/gan multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Sun,He Hui;  Guo,Feng Yun;  Li,Deng Yue;  Wang,Lu;  Wang,Dong Bo 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/09 Quantum wells  Interface  Intersubband  Tem  Pacs  61.72.lk  61.05.cp  68.37.-d  61.72.uj   Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Zhao, DG; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 INCLINED THREADING DISLOCATIONS  INTERSUBBAND TRANSITIONS  RELAXATION  LAYERS   Intersubband absorption properties of high Al content AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7, 页码: 1 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Wang, DB; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/18 MU-M  STRAIN RELAXATION  WAVELENGTH RANGE  GAN/ALGAN  SUPERLATTICES  GAN  TRANSITIONS  DISLOCATIONS  ALN/GAN  MOCVD