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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of electromechanical boundary conditions on the properties of epitaxial ferroelectric thin films 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/20/10/107701, 2011 Zhou Zhi-Dong; Zhang Chun-Zu; Jiang Quan; 周志东 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 THICKNESS DEPENDENCE  PHASE-TRANSITIONS  TEMPERATURE   Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏  |  浏览/下载：37/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  SEGREGATION  INTERFACE   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：97/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE