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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan, Xu;  Wei, Meng;  Yang, Cuibai;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon   Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：77/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：82/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS