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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of rippled surface morphology during si/si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Hu Wei-Xuan;  Cheng Bu-Wen;  Xue Chun-Lai;  Su Shao-Jian;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Step-bunching  Ehrlich-chwoebel barrier  Elastic repulsion  Fluctuation   Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique 期刊论文 guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/06/13 Atomic force microscopy  Atomic spectroscopy  Chemical vapor deposition  Diffraction  Epitaxial growth  Germanium  Raman spectroscopy  Semiconducting silicon compounds  Substrates  Surface morphology  Ultrahigh vacuum  X ray diffraction   Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801 Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/02/22